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1、DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格,2011年1月4日,三星電子完成史上第一條DDR4內(nèi)存。
2、DDR4相比DDR3最大的區(qū)別有三點:16bit預取機制(DDR3為8bit),同樣內(nèi)核頻率下理論速度是DDR3的兩倍;更可靠的傳輸規(guī)范,數(shù)據(jù)可靠性進一步提升;工作電壓降為1.2V,更節(jié)能。
本文到此結束,希望對大家有所幫助。
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