內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)DDR5 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)的最終規(guī)范

科技發(fā)展日新月異，隨著儲(chǔ)存技術(shù)不斷發(fā)展，技術(shù)規(guī)范也在經(jīng)歷著一次次升級(jí)，它們共同推動(dòng)著推動(dòng)著整個(gè)業(yè)內(nèi)向前發(fā)展。近日，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)正式發(fā)布了新的主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)DDR5 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)(JESD79-5)的最終規(guī)范，為全球PC拉開(kāi)新時(shí)代的序幕。

據(jù)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)介紹，全新DDR5標(biāo)準(zhǔn)將為開(kāi)發(fā)人員提供兩倍性能并大大提高電源效率。在全新DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)下，最高內(nèi)存?zhèn)鬏斔俣饶苓_(dá)到6.4Gbps，與之對(duì)比，在DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)下最高內(nèi)存?zhèn)鬏斔俣戎荒苓_(dá)到3.2Gbps。此外，DDR5也改善了DIMM的工作電壓，將電壓從DDR4的1.2V降至1.1V，能夠進(jìn)一步提升內(nèi)存的能效表現(xiàn)。

在內(nèi)存密度方面，DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)將允許單個(gè)內(nèi)存芯片的密度達(dá)到64Gbit，這比DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的16Gbit密度高出4倍。如此高的內(nèi)存密度，再結(jié)合多芯片封裝技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)最高40個(gè)單元的堆疊，如此堆疊的LRDIMM有效內(nèi)存容量可以達(dá)到2TB。

如上圖所示，在針腳設(shè)計(jì)上，DDR5內(nèi)存將保持與DDR4相同的288個(gè)引腳數(shù)，但因?yàn)槠洳捎昧穗p通道設(shè)計(jì)，對(duì)應(yīng)引腳布局也發(fā)生了一些改變，故DDR4內(nèi)存和DDR5產(chǎn)品是無(wú)法兼容的。這代表著用戶(hù)要想使用最新的DDR5內(nèi)存，需要更換支持該標(biāo)準(zhǔn)的最新款主板才行。

在JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)發(fā)布DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)后，AMD、英特爾、三星、美光、SK 海力士等諸多內(nèi)存廠商紛紛出面站臺(tái)。AMD表示，隨著DDR5標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布，AMD可以更好地設(shè)計(jì)其產(chǎn)品，以滿(mǎn)足客戶(hù)和用戶(hù)的未來(lái)需求。SK海力士更是強(qiáng)調(diào)，旗下DDR5標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存將會(huì)在今年年內(nèi)量產(chǎn)。

對(duì)于全新的DDR5內(nèi)存，個(gè)人也是非常期待。說(shuō)到一臺(tái)PC的核心配件，那必然是CPU、GPU、內(nèi)存和硬盤(pán)。更高標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存，代表著更強(qiáng)的電腦性能，更低的功耗和更低的發(fā)熱，在游戲、辦公、視頻編輯和渲染方面都會(huì)有顯著提升。但就目前而言，AMD和英特爾都尚未宣布推出支持DDR5內(nèi)存的消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品，預(yù)計(jì)該內(nèi)存還是會(huì)在企業(yè)端和服務(wù)器上先行上線(xiàn)，普通用戶(hù)想用上估計(jì)得等到明年了。