評(píng)測DDR4 內(nèi)存顆粒怎么樣以及540s系列固態(tài)硬盤如何

三星沒有披露新工藝的具體數(shù)字，只是模糊地稱之為10nm級(jí)別或者1xnm，而根據(jù)韓國媒體此前報(bào)道，三星用的是18nm，繼續(xù)領(lǐng)先SK海力士、美光等對(duì)手。

三星表示，新工藝克服了DRAM行業(yè)中的大量技術(shù)挑戰(zhàn)，包括獨(dú)有的單元設(shè)計(jì)技術(shù)、四重曝光技術(shù)(QPT)、超薄介質(zhì)層沉積技術(shù)等等，而且依然使用了已有的氟化氬沉浸式光刻工藝，并未啟用昂貴且不成熟的EUV極紫外光刻。

新的1xnm DDR4內(nèi)存顆粒單顆容量8Gb(1GB)，頻率高達(dá)3200MHz，相比于20nm工藝下的DDR4-2400性能可提升30%，同時(shí)同等頻率下功耗降低10-20%，PC、主流服務(wù)器、大型企業(yè)網(wǎng)絡(luò)、高性能計(jì)算系統(tǒng)中都有廣闊的前景，單條容量最大可做到128GB。

今年晚些時(shí)候，三星還會(huì)使用新工藝生產(chǎn)新的移動(dòng)用DRAM內(nèi)存顆粒，面向智能手機(jī)和平板機(jī)領(lǐng)域。

隨著新工藝的到來、產(chǎn)能的擴(kuò)大，以及PC需求的下降、手機(jī)需求的增長減緩，內(nèi)存價(jià)格將在今年出現(xiàn)大幅度下滑，下半年至少會(huì)降20-30%，最多可達(dá)40%。三星18nm加入戰(zhàn)局，必然會(huì)進(jìn)一步刺激價(jià)格走低。

性能方面官方宣稱持續(xù)讀寫最高可達(dá)560MB/s、480MB/s，屬于主流較高水準(zhǔn)，單么實(shí)際情況如何呢?

- 120GB：讀取450.87MB/s、寫入170.47MB/s

- 240GB：讀取465.21MB/s、寫入439.25MB/s

- 360GB：讀取460.16MB/s、寫入427.99MB/s

- 480GB：讀取475.49MB/s、寫入443.92MB/s

- 1TB：讀取481.26MB/s、寫入432.26MB/s

讀取基本只有450-480MB/s的樣子，比標(biāo)稱值低了15-20%。

寫入還好一些，基本都能達(dá)到430MB/s左右，只比標(biāo)稱值低了約10%，但是最小容量的120GB非常慘，僅僅170MB/s，應(yīng)該是閃存通道不足的緣故，再加上120GB容量使用起來實(shí)在緊張，不值得推薦考慮。

Intel SSD 540s系列將在4月份上市，價(jià)格未公布，估計(jì)120GB版本應(yīng)該在60美元左右，1TB的則是320美元上下，另外2.5寸、M.2版本價(jià)格會(huì)是相同的。