SK海力士展示176層4D NAND閃存

SK海力士宣布已經(jīng)完成了業(yè)界最多層的，由176層組成的多層512 Gb三層單元(TLC)4D NAND閃存的開(kāi)發(fā)。該公司表示，上個(gè)月向控制公司提供了樣品，以便他們可以圍繞它設(shè)計(jì)產(chǎn)品。以前，SK hynix使用96層NAND閃存產(chǎn)品來(lái)推廣其4D技術(shù)，該產(chǎn)品將Charge Trap Flash和高集成度Peri相結(jié)合。

新型176層NAND閃存是第三代4D產(chǎn)品，該公司表示，該技術(shù)可確保每片晶圓擁有業(yè)界最佳數(shù)量的芯片。每個(gè)晶片更多的芯片使位生產(chǎn)率比上一代產(chǎn)品提高了35%，具有差異化的成本競(jìng)爭(zhēng)力。通過(guò)采用兩格單元陣列選擇技術(shù)，單元讀取速度比上一代提高了20%。

通過(guò)采用加速技術(shù)而不增加進(jìn)程數(shù)量，SK hynix還將數(shù)據(jù)傳輸速度提高了33%，達(dá)到1.6 Gbps。使用新技術(shù)的消費(fèi)者和企業(yè)固態(tài)硬盤(pán)將在明年年中面世，最大讀取速度提高70%，最大寫(xiě)入速度提高35%。

SK hynix表示，它克服了增加NAND閃存產(chǎn)品中的層數(shù)所帶來(lái)的挑戰(zhàn)，例如單元電流減少，通道扭曲以及由于雙堆疊未對(duì)準(zhǔn)而導(dǎo)致的單元分布惡化。它使用單元中間層高度減小，層可變時(shí)序控制和超精確對(duì)準(zhǔn)來(lái)克服這些障礙。

將使用新型176層NAND閃存開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品包括采用新型NAND的雙倍密度的1Tb產(chǎn)品。存儲(chǔ)產(chǎn)品始終歡迎更快的讀寫(xiě)速度，這對(duì)于企業(yè)用戶和計(jì)算機(jī)愛(ài)好者來(lái)說(shuō)是個(gè)好消息。沒(méi)有跡象表明使用新技術(shù)可能會(huì)花費(fèi)多少產(chǎn)品。