聯(lián)發(fā)科將在今年晚些時(shí)候推出全球首款4nm旗艦 SoC擊敗高通

聯(lián)發(fā)科將于今年晚些時(shí)候在市場(chǎng)上推出首款 4 納米芯片組。該公司將使用臺(tái)積電的新 4 納米節(jié)點(diǎn)，以推出其首款真正的旗艦 SoC，使其領(lǐng)先于高通及其即將推出的驍龍 898。

幾天前，我們報(bào)道了聯(lián)發(fā)科和高通將在3納米架構(gòu)的競(jìng)賽中擊敗蘋果。然而，在此之前，4 納米工藝將會(huì)到來，而且聯(lián)發(fā)科似乎將率先實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，并在該工藝中擊敗高通。

據(jù)最新報(bào)道，聯(lián)發(fā)科正準(zhǔn)備在今年晚些時(shí)候推出一款旗艦 SoC。據(jù)推測(cè)，該芯片組將用于價(jià)格在 600 美元以上的設(shè)備，并且可以提供與高通公司最佳性能相匹配的性能。

雖然該公司目前的產(chǎn)品提供卓越的性能，聯(lián)發(fā)科看起來是落后一代的旗艦SoC的性能方面，與新Dimensity 1200更加看齊的的Snapdragon 870比Snapdragon的888?？磥恚碌男酒M將建立在 4 nm TSMC 節(jié)點(diǎn)上。聯(lián)發(fā)科目前的冠軍天璣 1200 建立在臺(tái)積電的 6 納米工藝之上。

如前所述，這款新芯片組旨在用于高端設(shè)備，而不是我們?cè)谧罱?Dimensity 系列產(chǎn)品中看到的次高端手機(jī)。然而，聯(lián)發(fā)科在市場(chǎng)上的聲譽(yù)是否已經(jīng)恢復(fù)到足以在該領(lǐng)域展開競(jìng)爭(zhēng)還有待觀察。