三星加快了160層NAND的開發(fā)

2022-06-07 01:51:10 編輯：杭天莎來源：

導(dǎo)讀就在上周，揚(yáng)子存儲(chǔ)技術(shù)有限公司(YMTC)展示了1個(gè)28層3D NAND芯片，這是對(duì)之前最大64層存儲(chǔ)數(shù)量的升級(jí)，以及對(duì)非易失性閃存和超高密度SSD

就在上周，揚(yáng)子存儲(chǔ)技術(shù)有限公司(YMTC)展示了1個(gè)28層3D NAND芯片，這是對(duì)之前最大64層存儲(chǔ)數(shù)量的升級(jí)，以及對(duì)非易失性閃存和超高密度SSD的新推動(dòng)。現(xiàn)在，三星似乎感覺很熱。據(jù)韓國(guó)出版物Etnews報(bào)道，這家韓國(guó)制造商有傳言稱將加快V-NAND的開發(fā)，該技術(shù)可堆疊160層高。

根據(jù)這份報(bào)告，不清楚來源是誰，三星將使用其“雙堆棧”方法來開發(fā)這種新的堆棧式V-NAND，顧名思義，它在3D結(jié)構(gòu)中使用垂直堆棧。三星的雙棧方法通過兩步而不是像三星目前所做的那樣一步一步地將層互連。

堆疊如此高的NAND層似乎是NAND-Jenga的游戲，但對(duì)于提高SSD的密度，提高材料產(chǎn)量和降低功耗至關(guān)重要。如果三星確實(shí)提供了160層產(chǎn)品，那么它將是業(yè)內(nèi)最高的產(chǎn)品。

Etnews的報(bào)告沒有分享有關(guān)即將推出的技術(shù)的任何其他詳細(xì)信息，因此，當(dāng)三星是否正式宣布其第七代V-NAND時(shí)，我們將不得不坐下來作進(jìn)一步的解釋。由于上一代的堆疊式V-NAND每年夏天都會(huì)發(fā)布，因此假設(shè)開發(fā)沒有延遲，我們可以在6月或8月發(fā)布任何時(shí)間表。

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