臺(tái)積電基于GAA-FET的2nm芯片將于2023年投入量產(chǎn)

據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電(TSMC)正式啟動(dòng)其2nm工藝節(jié)點(diǎn)的研發(fā)工作僅一年多后，預(yù)計(jì)其新技術(shù)將在2023年投入量產(chǎn)。據(jù)的一份報(bào)告稱(chēng)，該公司將放棄較老的Fin- FET工藝，并為其2nm節(jié)點(diǎn)使用GAA-FET。臺(tái)積電尚未在這方面正式宣布。但是，這可能只是時(shí)間問(wèn)題。

根據(jù)先前的報(bào)道，臺(tái)積電將在該公司位于新竹市南部科技園區(qū)的先進(jìn)工廠(chǎng)大規(guī)模生產(chǎn)2nm芯片。但是，盡管較早的時(shí)間表表明生產(chǎn)可能在2024年開(kāi)始，但最新的報(bào)告現(xiàn)在表明可能在2023年生產(chǎn)。

同時(shí)，據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電還完成了其3nm工藝(“ N3”)的設(shè)計(jì)工作。據(jù)預(yù)計(jì)進(jìn)入試生產(chǎn)中的2021年上半年不同的是2nm的節(jié)點(diǎn)，該節(jié)點(diǎn)為3nm會(huì)使，因?yàn)樗某墒於?，可靠性和成本效率的使用FinFET技術(shù)的。在性能和速度方面，TSMC聲稱(chēng)在等功率情況下，N3的速度將比N5提供10-15%的速度提高，在等速度時(shí)的功率降低25-30%。

據(jù)報(bào)道，該公司還在研究一種稱(chēng)為“ N4”的新型4nm架構(gòu)，該架構(gòu)可能會(huì)在2023年投入生產(chǎn)。這將是對(duì)其“增強(qiáng)型” 5nm工藝節(jié)點(diǎn)N5P的改進(jìn)。同時(shí)，該公司仍預(yù)計(jì)其7nm節(jié)點(diǎn)將貢獻(xiàn)今年的大部分收入。那么您對(duì)臺(tái)積電的新技術(shù)感到興奮嗎?您期望它改善新芯片的性能和電源效率嗎?在下面的評(píng)論中讓我們知道。