三星已開(kāi)始在其韓國(guó)華城的最新S3生產(chǎn)線上安裝生產(chǎn)設(shè)備

三星電子宣布已完成其10納米FinFET工藝技術(shù)的資格認(rèn)證程序，并準(zhǔn)備開(kāi)始生產(chǎn)。三星的第二代10nm FinFET制程技術(shù)稱為10LPP(低功耗增強(qiáng)版)。10LPP建立在第一代10LPE(低功耗早期)工藝上。隨著3D FinFET結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步增強(qiáng)，與具有相同面積縮放比例的第一代10LPE工藝相比，10LPP允許高達(dá)10%的性能或15%的功耗降低。

“憑借我們成功的10LPE生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，我們已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)10LPP，以保持我們?cè)谙冗M(jìn)節(jié)點(diǎn)代工市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。10LPP將成為我們針對(duì)高性能移動(dòng)，計(jì)算和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的關(guān)鍵工藝產(chǎn)品之一，三星將繼續(xù)提供最先進(jìn)的邏輯工藝技術(shù)。”

—三星電子代工營(yíng)銷副總裁Ryan Lee

為了滿足其姊妹單位和其他客戶對(duì)10nm工藝的長(zhǎng)期需求，三星已開(kāi)始在其韓國(guó)華城的最新S3生產(chǎn)線上安裝生產(chǎn)設(shè)備。S3系列產(chǎn)品有望在2017年第四季度投入生產(chǎn)。

第一代10LPE工藝為三星和其他使用三星或高通SoC的OEM的當(dāng)前旗艦產(chǎn)品提供了動(dòng)力。目前尚不清楚我們何時(shí)可以期望采用基于10LPP流程構(gòu)建芯片的設(shè)備。