SNAPDRAGON 8 GEN 2 帶來性能飛躍而不會(huì)過熱

2022-10-11 14:42:13 編輯：吳唯東來源：

導(dǎo)讀 11月15-17日，高通將在美國(guó)夏威夷舉辦一年一度的驍龍技術(shù)峰會(huì)。像往常一樣，Snapdragon 8 Gen 2 將正式亮相。近幾年，驍龍旗艦平臺(tái)的升...

11月15-17日，高通將在美國(guó)夏威夷舉辦一年一度的驍龍技術(shù)峰會(huì)。像往常一樣，Snapdragon 8 Gen 2 將正式亮相。

近幾年，驍龍旗艦平臺(tái)的升級(jí)有些乏力，再加上功耗和發(fā)熱的問題，不少用戶詬病，不過這一次，驍龍8 Gen 2看起來大有可為。

據(jù)數(shù)字內(nèi)幕人士Ice Universe稱，與驍龍8+ Gen1相比，驍龍8 Gen2 CPU性能提升10%，能效提升15%，GPU性能提升20%，AI性能提升高達(dá)10%，ISP性能也進(jìn)步了很多。

驍龍8 GEN 2將徹底解決過熱問題

更重要的是，驍龍8 Gen 2將徹底解決發(fā)熱和“燙手”的問題，直接變成“凍手”，有點(diǎn)像當(dāng)年驍龍835的出色表現(xiàn)。

業(yè)內(nèi)人士此前還透露，幾大手??機(jī)廠商已經(jīng)開始測(cè)試驍龍8 Gen 2，結(jié)果令人滿意，整體能效至少能提升15%。

Snapdragon 8 Gen 1 使用三星的 5nm 工藝，這一直是個(gè)問題。后續(xù)升級(jí)版的驍龍8+ Gen1改為臺(tái)積電的4nm，性能和能效大幅提升。驍龍 8 Gen 2 將繼續(xù)使用臺(tái)積電的 4nm。

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