網(wǎng)絡(luò)資訊：DDR內(nèi)存是什么

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DDR內(nèi)存全稱是DDR SDRAM，DDR的標(biāo)稱和SDRAM一樣采用頻率。由電氣、三菱、富士通、東芝、日立、德州儀器、三星及現(xiàn)代等八家公司協(xié)議訂立的內(nèi)存規(guī)格，并得到了AMD、VIA與SiS等主要芯片組廠商的支持。

DDR 內(nèi)存全稱是 DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM，雙倍速率 SDRAM)。DDR SDRAM 最早是由三星公司于 1996 年提出，由電氣、三菱、富士通、東芝、日立、德州儀器、三星及現(xiàn)代等八家公司協(xié)議訂立的內(nèi)存規(guī)格，并得到了 AMD、VIA 與 SiS 等主要芯片組廠商的支持。它是 SDRAM 的升級版本，因此也稱為「SDRAM II」。

簡介

DDR 是 21 世紀(jì)初主流內(nèi)存規(guī)范，各大芯片組廠商的主流產(chǎn)品全部是支持它的。DDR 全稱是 DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM，雙倍速率 SDRAM)。DDR 的標(biāo)稱和 SDRAM 一樣采用頻率。截至 2017 年，DDR 運(yùn)行頻率主要有 100MHz、133MHz、166MHz 三種，由于 DDR 內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在 DDR 內(nèi)存的標(biāo)識上采用了工作頻率×2 的方法，也就是 DDR200、DDR266、DDR333 和 DDR400，一些內(nèi)存生產(chǎn)廠商為了迎合發(fā)燒友的需求，還推出了更高頻率的 DDR 內(nèi)存。其最重要的改變是在界面數(shù)據(jù)傳輸上，他在時(shí)鐘信號的上升沿與下降沿均可進(jìn)行數(shù)據(jù)處理，使數(shù)據(jù)傳輸率達(dá)到 SDR(Single Data Rate)SDRAM 的 2 倍。至于尋址與控制信號則與 SDRAM 相同，僅在時(shí)鐘上升沿傳送。

DDR SDRAM 模塊部分與 SDRAM 模塊相比，改為采用 184 針(pin)，4～6 層印刷電路板，電氣接口則由「LVTTL」改變?yōu)椤窼STL2」。在其它組件或封裝上則與 SDRAM 模塊相同。DDR SDRAM 模塊一共有 184 個(gè)接腳，且只有一個(gè)缺槽，與 SDRAM 的模塊并不兼容。 DDR SDRAM 在命名原則上也與 SDRAM 不同。SDRAM 的命名是按照時(shí)鐘頻率來命名的，例如 PC100 與 PC133。而 DDR SDRAM 則是以數(shù)據(jù)傳輸量作為命名原則，例如 PC1600 以及 PC2100，單位 MB/s。所以 DDR SDRAM 中的 DDR200 其實(shí)與 PC1600 是相同的規(guī)格，數(shù)據(jù)傳輸量為 1600MB/s(64bit×100MHz×2÷8=1600MBytes/s)，而 DDR266 與 PC2100 也是一樣的情形(64bit×133MHz×2÷8=2128MBytes/s)。

DDR SDRAM 在規(guī)格上按信號延遲時(shí)間(CL;CAS Latency，CL 是指內(nèi)存在收到訊號后，要等待多少個(gè)系統(tǒng)時(shí)鐘周期后才進(jìn)行讀取的動作。一般而言是越短越好，不過這還要看內(nèi)存顆粒的原始設(shè)定值，否則會造成系統(tǒng)的不穩(wěn)定)也有所區(qū)別。按照電子工程設(shè)計(jì)發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(JEDEC)的定義(規(guī)格書編號為 JESD79)：DDR SDRAM 一共有兩種 CAS 延遲，分為 2ns 以及 2.5ns(ns 為十億分之一秒)。較快的 CL= 2 加上 PC 2100 規(guī)格的 DDR SDRAM 稱作 DDR 266A，而較慢的 CL= 2.5 加上 PC 2100 規(guī)格的 DDR SDRAM 則稱作 DDR 266B。另外，較慢的 PC1600 DDR SDRAM 在這方面則是沒有特別的編號。

時(shí)鐘頻率

它代表了內(nèi)存所能穩(wěn)定運(yùn)行的最大頻率。市場上看到的 DDR 內(nèi)存有 DDR533、DDR667、DDR800 和 DDR1333 等。

以上就是關(guān)于DDR內(nèi)存是什么這方面的一些信息了 小編整理的這些訊息希望對童鞋們有所幫助。