臺積電：預計2030年完成1nm制程芯片臺積電研發(fā)1nm

2023-12-29 14:34:38 編輯：闕雅儀來源：

導讀在當地時間2023年12月27日，根據外國媒體Tomshardware報道，臺積電公司在前幾日參加2023年IEEE國際電子元件會議時，發(fā)布了提高至1納米制程...

在當地時間2023年12月27日，根據外國媒體Tomshardware報道，臺積電公司在前幾日參加2023年IEEE國際電子元件會議時，發(fā)布了提高至1納米制程的產品規(guī)劃藍圖。根據臺積電規(guī)劃，公司將會推動3D封裝和單芯片封裝的技術發(fā)展，預計在2025年時公司就可以完成N2和N2P節(jié)點，使用3D封裝的芯片晶體管數量將會超過5000億個，使用傳統(tǒng)封裝技術的芯片晶體管數量將會超過1000一個。

另外公司計劃在2027年時達到A14節(jié)點，并且在2030年的時候達到A10節(jié)點，也就是1納米制程芯片，到那時，臺積電公司采用3D封裝技術的芯片晶體管數量將會達到10,000億個以上，傳統(tǒng)封裝技術的芯片晶體管數量將會超過2000億個。不過因為晶體管的密度提高以后已經逐漸接近物理極限，所以近期臺積電公司在提高制程水平的過程中遇到了諸多挑戰(zhàn)。