半導體芯片迎大突破 全新的鐵電晶體管更小 更快 更節(jié)能

近日，美國賓夕法尼亞大學工程與應用科學學院的研究人員正式推出了一種新的fe-fet設計，這項設計在計算和存儲方面有了破紀錄的性能表現(xiàn)。據(jù)了解，采技術打造算的精的晶體管，在鐵電材料碳化鋁抗上，覆蓋了一種叫做二硫化鉬的二維半導體，通過這樣的方式證明了這兩種材料可以結合在一起，從而制造出對工業(yè)制造更加有吸引的晶體管。研究人員表示，將鐵電絕緣體材料和二維半導體材料結合在一起，能夠讓兩者變得更加的節(jié)能，這樣就可以運用在計算和存儲方面，提升整個設備的效率。

據(jù)了解，這個設備允許每個單獨的設備以最小的表面積運行，而且這些微型設備還能夠擴展到工業(yè)平臺的大型陣列方面，整個半導體設備只有0.7納米，最初的時候并不確定他們是否能夠承受鐵電材料中的大量電荷。但是讓人感到驚訝的是，他們不僅能夠承受這些電荷，而且還能讓半導體攜帶的電流量突破原先的記錄。

針對這樣的性能表現(xiàn)，研究人員表示，一個設備能夠攜帶的電流越多，那么這個設備在計算機應用上的運行速度就會變得越來越快，電阻越低的話存儲器的訪問速度也就會變得越快。除此之外，此次兩個不同材料的結合也是晶體管技術的全新突破，可以幫助一些元器件變得更加小型化，在這一次的新研究中，使用了20鐵電材料和0.7那米的納米的moS 2設備，能夠讓整個設備更可靠的去存儲數(shù)據(jù)。

該研究團隊還表示，下一步中，團隊的工作目標將會集在設備的小型化處理上，去生產(chǎn)在足夠電壓下工作的一些設備。通過這樣的方式，打造出更加兼容領先的消費設備資源，隨著后續(xù)的技術發(fā)展，很多的功能設備都可以在實際應用中占據(jù)一席之地，尤其是那些支持人工智能消費的領域。