GalaxyS10將采用與iPhone XS相同的芯片技術(shù)

三星周四宣布，它已經(jīng)開始生產(chǎn)EUV7nmLPP芯片，這是一個(gè)非常復(fù)雜的方式來告訴世界，7nm芯片將及時(shí)準(zhǔn)備好，以便GalaxyS10明年推出。 如果7nm聽起來很熟悉，那是因?yàn)榘ㄈA為和蘋果在內(nèi)的智能手機(jī)制造商已經(jīng)推出了這樣的設(shè)備。 華為是第一個(gè)推出7nm980，為Mate20Pro提供動(dòng)力，但蘋果的7nmA12仿生芯片在iPhoneXS和XR模型中首先運(yùn)往消費(fèi)者。

那么EUV7nmLPP是什么意思，還是7LPP是什么意思?? 這是短缺的“7納米(N m)LP P(低功率加)與極端紫外線(E UV)光刻技術(shù)。”7nm芯片將比10nm芯片更快和更有效，為2018年Android旗艦的大部分，三星的GalaxyS9和注9包括在內(nèi)。

但根據(jù)三星的說法，EUV技術(shù)的有趣之處在于它可以降低這些芯片的制造成本：

V使用13.5nm波長(zhǎng)的光來暴露硅片，而不是傳統(tǒng)的氟化氬(ArF)浸泡技術(shù)，這些技術(shù)只能實(shí)現(xiàn)193nm波長(zhǎng)，并且需要昂貴的多圖案掩模集.. EUV允許使用單個(gè)掩模來創(chuàng)建硅片層，其中ArF可以需要多達(dá)4個(gè)掩模來創(chuàng)建同一層。

與其10nmFIN FET前輩相比，三星的7LPP技術(shù)不僅大大降低了工藝復(fù)雜性，更少的層和更好的產(chǎn)率，而且還提供了高達(dá)40%的面積效率和20%的高性能或高達(dá)50%的低功耗。

三星沒有在新聞稿中提到7nmExynos芯片的名稱，該芯片將于明年為GalaxyS10或GalaxyS10供電。 但很可能三星自己的7nm芯片技術(shù)將被用來提供處理器下一代銀河標(biāo)志將需要。

有趣的是，幾天前臺(tái)積電還宣布(通過極端技術(shù))，它將繼續(xù)自己的7nmEUV計(jì)劃。 臺(tái)積電是三星最大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之一，也是世界上最重要的芯片制造商。 它也是專門為蘋果生產(chǎn)A系列芯片的公司，包括7nmA12仿生。 但A12并不是建立在EUV技術(shù)上的-AnandTech今年早些時(shí)候解釋了臺(tái)積電現(xiàn)有的7nm：

臺(tái)積電的CLN7FF工藝技術(shù)將依賴于深紫外(DUV)光刻與氬氟化物(Ar F)準(zhǔn)分子激光器在193nm波長(zhǎng)上工作。 因此，世界上最大的半導(dǎo)體合同制造商將能夠使用現(xiàn)有的制造工具來制造7nm芯片。 同時(shí)，為了繼續(xù)使用DUV光刻，公司及其客戶必須使用多模式(三倍和四倍模式)，這增加了設(shè)計(jì)和生產(chǎn)成本以及產(chǎn)品周期。

臺(tái)積電預(yù)計(jì)明年將生產(chǎn)7nm斯納普龍855，根據(jù)報(bào)道，該公司應(yīng)更名為斯納普龍8150。 這是芯片，將為一些銀河S10和注10版本今年。 無論使用何種技術(shù)，7nm芯片都應(yīng)該提供類似的性能，盡管不要指望三星的7nmExynos芯片能擊敗蘋果的A12。 但EUV將使公司更便宜地批量生產(chǎn)它。