三星宣布推出全球首個(gè)512GBDDR5HKMG模塊

雖然許多人都知道三星是全球領(lǐng)先的電話(huà)制造商，但韓國(guó)人也在大力投資其他硬件，而本周，他們宣布了另一項(xiàng)重要成就。

三星已經(jīng)建立了世界上第一個(gè)使用High-K Metal Gate工藝技術(shù)的512GB DDR5模塊。

此技術(shù)也稱(chēng)為HKMG，以前曾在邏輯半導(dǎo)體中使用，它可以在提高性能的同時(shí)將功耗降低多達(dá)13%。HKMG技術(shù)自2018年以來(lái)一直用于三星的GDDR6內(nèi)存，可創(chuàng)建專(zhuān)門(mén)為超級(jí)計(jì)算機(jī)中的高帶寬工作負(fù)載而構(gòu)建的內(nèi)存模塊。

三星表示，它可以很好地應(yīng)對(duì)AI和ML所執(zhí)行的任務(wù)，而且還可以應(yīng)對(duì)數(shù)據(jù)分析應(yīng)用程序。

三星的DDR5將采用傳統(tǒng)上用于邏輯半導(dǎo)體的高度先進(jìn)的HKMG技術(shù)。隨著DRAM結(jié)構(gòu)的不斷縮小，絕緣層變薄，導(dǎo)致更高的泄漏電流。通過(guò)用HKMG材料代替絕緣子，三星的DDR5將能夠減少泄漏并達(dá)到新的性能高度。這款新內(nèi)存還將節(jié)省大約13%的電能，使其特別適用于能源效率日益重要的數(shù)據(jù)中心。”該公司解釋說(shuō)。

DDR4速度的兩倍

該模塊使用硅通孔技術(shù)(也稱(chēng)為T(mén)SV)來(lái)堆疊總共八個(gè)不同的16GB DRAM芯片。

“通過(guò)將這種類(lèi)型的工藝創(chuàng)新引入DRAM制造，我們能夠?yàn)榭蛻?hù)提供高性能，高能效的內(nèi)存解決方案，以為醫(yī)學(xué)研究，金融市場(chǎng)，自動(dòng)駕駛，智慧城市及其他領(lǐng)域所需的計(jì)算機(jī)提供動(dòng)力，”三星電子DRAM內(nèi)存計(jì)劃/支持小組副總裁Young-Soo Sohn解釋說(shuō)。

新模塊將DDR4的性能提高了兩倍以上，每秒可傳輸高達(dá)7200兆比特的數(shù)據(jù)。