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韓國半導(dǎo)體公司SK hynix宣布推出全球首個(gè)DDR5 DRAM模塊。從一開始,它就通過JEDEC標(biāo)準(zhǔn)化與英特爾密切合作,開發(fā)下一代DRAM規(guī)格和技術(shù),這將確保DDR5達(dá)到其性能目標(biāo),并易于被共同客戶采用。SK海力士表示,其DDR5 DRAM “針對大數(shù)據(jù),人工智能(AI)和機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)作為DRAM的下一代標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了優(yōu)化”。全球其他重要廠商也利用SK hynix實(shí)驗(yàn)室,系統(tǒng)測試和仿真設(shè)施為推出新型高速高密度DRAM做好了準(zhǔn)備。
在上述發(fā)布公告之前,有許多DDR5故事概述了SK hynix的計(jì)劃,并在7月發(fā)布了最終的JEDEC規(guī)范,因此您可能知道會發(fā)生什么。不過,值得引用實(shí)際的SK hynix推出產(chǎn)品規(guī)格:
傳輸速率為4,800?5,600Mbps
工作電壓為1.1V
降低功耗和運(yùn)營成本
借助TSV,最多可支持256GB模塊
SK hynix表示,它的DDR5 DRAM可以在一秒鐘內(nèi)傳輸相當(dāng)于9幅FHD電影(每幅5GB)的速度,以此來說明使用公共或花園參考點(diǎn)的傳輸速度。此外,其功耗比DDR4 DRAM低20%。請記住,JEDEC公布的規(guī)范指出最大標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)速率為6,400Mbps(最高為8,400Mbps),但預(yù)計(jì)首批產(chǎn)品的啟動速度會降低。
SK hynix也很高興分享其在內(nèi)存芯片中集成了DDR5糾錯碼(ECC)。該公司表示,這可以自行糾正1位電平錯誤,并使應(yīng)用程序的可靠性“提高20倍”。
業(yè)內(nèi)分析師認(rèn)為,DDR5將在2021年開始激增,到2022年將在全球市場中占有10%的份額,到2024年將增加到43%。
目前,SK海力士是全球第二大DRAM生產(chǎn)商,占有30%的市場份額。根據(jù)TrendForce的最新數(shù)據(jù),三星是最大的DRAM制造商。
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