三星SF3工藝開始試生產(chǎn)半年內(nèi)將良率提至60% 具體情況如何

2024-01-22 16:38:27 編輯：莫嬌瑤來源：

導(dǎo)讀業(yè)內(nèi)消息人士1月21日透露稱，三星電子代工廠已經(jīng)針對其第2代3nm級工藝SF3開始進行試生產(chǎn)。該公司計劃將良率在未來的6個月內(nèi)提高到60%以上。...

業(yè)內(nèi)消息人士1月21日透露稱，三星電子代工廠已經(jīng)針對其第2代3nm級工藝SF3開始進行試生產(chǎn)。該公司計劃將良率在未來的6個月內(nèi)提高到60%以上。

消息人士表示，三星目前正在對SF3節(jié)點上制造的芯片的可靠性和性能進行測試。專門為可穿戴設(shè)備設(shè)計的應(yīng)用處理器預(yù)計將會是第1個使用三星SF3工藝的芯片，并且將會用于 Galaxy watch 7等計劃在今年晚些時候發(fā)布的產(chǎn)品當中。

明年的Galaxy S25系列智能手機所搭載的Exynos 2500芯片預(yù)計將會使用這一節(jié)點。

此前三星方面曾經(jīng)表示，公司計劃從2024年下半年開始進行SF3芯片的大規(guī)模量產(chǎn)。2023~2024年，將會主要生產(chǎn)3nm，包括SF3（3GAP）以及改進的版本SF3P（3GAP+）。該公司還計劃將2nm節(jié)點在2025~2026年推出。

據(jù)介紹，在同一個單元內(nèi)，SF3節(jié)點可以實現(xiàn)不同的環(huán)繞炸晶體管納米片通道寬度，大大的提高了設(shè)計的靈活性，同時也使芯片的功耗更低，性能更高，采用優(yōu)化的設(shè)計，將晶體管的密度增加。

免責(zé)聲明：本文由用戶上傳，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除！

本站除標明“本站原創(chuàng)”外所有信息均轉(zhuǎn)載自互聯(lián)網(wǎng) 版權(quán)歸原作者所有。

郵箱：toplearningteam#gmail.com (請將#換成@)