三星談論下一代 DRAM 解決方案

2022-10-08 14:57:10 編輯：鄒廣霄來源：

導讀三星公開了其下一代 DRAM 和內(nèi)存解決方案的計劃，包括 GDDR7、DDR5、LPDDR5X 和 V-NAND。三星詳細介紹下一代 36 Gbps GDDR7、32 G...

三星公開了其下一代 DRAM 和內(nèi)存解決方案的計劃，包括 GDDR7、DDR5、LPDDR5X 和 V-NAND。

三星詳細介紹下一代 36 Gbps GDDR7、32 Gb DDR5、8.5 Gbps LPDDR5X 和 1000+ 層 V-NAND DRAM 和內(nèi)存解決方案

三星宣布的三種主要 DRAM 和內(nèi)存解決方案包括其 32Gb DRAM 密度，與現(xiàn)有的 16Gb 相比，現(xiàn)有 16Gb 的容量增加了 33%，而24Gb DDR5 IC已經(jīng)開發(fā)了一段時間。

該公司還宣布了其首個 GDDR7 內(nèi)存規(guī)格，該規(guī)格將提供高達 36 Gbps 的傳輸速率。與上個季度投入生產(chǎn)的三星當前最快的 24 Gbps GDDR6 內(nèi)存解決方案相比，速度提高了 50%。AMD 的下一代 RDNA 3 GPU預計將率先采用全新的 GDDR6 模塊，但 GDDR7 必須等待一兩代才能看到它的實際應用。

跨 384 位總線的 36 Gbps DRAM 接口應提供高達 1.7 TB/s 的帶寬，而具有相同速度的 256 位總線接口將提供高達 1.15 TB/s 的帶寬。與美光當前的 GDDR6X 解決方案相比，兩者的帶寬數(shù)據(jù)都要高得多。

新聞稿：先進半導體技術(shù)的全球領導者三星電子今天在 2022 年三星技術(shù)日展示了一系列旨在推動未來十年數(shù)字化轉(zhuǎn)型的尖端半導體解決方案。自 2017 年以來的年度會議，該活動回到了- 三年后在圣何塞希爾頓西嘉酒店入住的人。

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