EUV將使用等離子和激光制造下一代芯片

微芯片無(wú)處不在，很容易忽略它們的真正杰出之處。像溫控器或唱歌賀卡這樣的普通物品，包含數(shù)百萬(wàn)個(gè)微觀結(jié)構(gòu)，這些微觀結(jié)構(gòu)是有史以來(lái)最杰出的制造工藝之一。

自1977年左右以來(lái)，當(dāng)前的流程一直在發(fā)展，其工作方式類(lèi)似于投影儀。激光通過(guò)掩膜發(fā)出的光，就像芯片的設(shè)計(jì)圖一樣，然后將掩膜投射到涂在硅板上的光敏化學(xué)品上。結(jié)果幾乎就像曝光照片一樣：光將芯片的圖像傳輸?shù)焦枭?，在硅上可以將其直接蝕刻到金屬中。這個(gè)過(guò)程稱(chēng)為光刻，隨著它變得越來(lái)越先進(jìn)，晶體管變得越來(lái)越小，越來(lái)越快并且更加節(jié)能。

制造芯片的特定機(jī)制已經(jīng)非常復(fù)雜，需要原子級(jí)的精度和某些有史以來(lái)最精確的制造工具，但是當(dāng)前的方法有其局限性。這個(gè)過(guò)程已經(jīng)使用了將近15年，而且已經(jīng)用盡了?，F(xiàn)在，芯片上晶體管的部分尺寸約為7至10納米，遠(yuǎn)小于用于制造它們的193nm紫外線(xiàn)。

如果我們要繼續(xù)制造更好，更快的芯片，制造商需要重新設(shè)計(jì)工藝，而新工藝是極紫外光刻或EUV。多年來(lái)，公司一直致力于開(kāi)發(fā)芯片制造的下一步，而我們剛剛看到第一批使用EUV制成的設(shè)備進(jìn)入市場(chǎng)。

要了解有關(guān)此過(guò)程的更多信息，我去了英特爾的兩家制造工廠(chǎng)，他們正在開(kāi)發(fā)EUV，親自看一下機(jī)器，并了解有關(guān)這種極端制造的更多信息。

EUV仍是一項(xiàng)革命性的飛躍，仍將芯片藍(lán)圖投射到硅上，但是它使用波長(zhǎng)極小的光來(lái)做到這一點(diǎn)，這對(duì)于創(chuàng)建微小的特征更好。

在這些微小的波長(zhǎng)下，幾乎所有的東西都吸收紫外線(xiàn)，而典型的激光無(wú)法產(chǎn)生紫外線(xiàn)。該過(guò)程更加奇特，涉及液態(tài)金屬和高能等離子體。技術(shù)挑戰(zhàn)巨大，但回報(bào)是我們?cè)O(shè)備速度和能源效率的飛躍。