印度是如何實(shí)現(xiàn)芯片制造本土化的

這一主題聽起來可能比我們?cè)谟《戎圃鞂谥杏懻摰钠渌黝}更深?yuàn)W，但如果要減少對(duì)電子產(chǎn)品進(jìn)口的壓倒性依賴，它對(duì)該國(guó)來說是一個(gè)非常重要的領(lǐng)域。 它是關(guān)于光刻膠，這是電子芯片制造必不可少的原材料。

光刻膠用于印刷版，印刷電路板，平板液晶顯示器和磁記錄頭的生產(chǎn)，但最重要的用途是制造集成電路(IC)設(shè)備，如智能電子芯片和小工具的微處理器設(shè)備，IoT，AI芯片和高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)芯片。 在光刻膠的幫助下，改進(jìn)所謂的光刻工藝的分辨率一直是半導(dǎo)體空間進(jìn)步的關(guān)鍵。 是印度少數(shù)致力于廣泛光刻膠本土化的機(jī)構(gòu)之一。2012年，該研究所承擔(dān)了為印度半導(dǎo)體工業(yè)和學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)批量生產(chǎn)本土光刻膠配方的挑戰(zhàn)。 “光刻機(jī)是芯片制造的主力。 電子芯片無處不在，包括電信、機(jī)器人、航空航天、汽車、鐵路、國(guó)防，以及許多其他戰(zhàn)略和商業(yè)部門。 它對(duì)手機(jī)行業(yè)產(chǎn)生了巨大的影響；芯片上的晶體管數(shù)量越多，性能就越好?！盜IT Mandi基礎(chǔ)科學(xué)學(xué)院副教授Subrata Ghosh說。 2012年，該研究所在芯片制造商英特爾的支持下開始了一項(xiàng)研究和開發(fā)未來器件制造技術(shù)的倡議，該倡議為20納米(N m)節(jié)點(diǎn)VLSI技術(shù)開發(fā)最先進(jìn)的材料提供了30萬(wàn)$。 這被證明在美國(guó)EUV（極端紫外光刻）下分辨率為20nm。為了結(jié)合這一點(diǎn)，臺(tái)灣半導(dǎo)體制造有限()，世界上在這一領(lǐng)域最有價(jià)值的公司，正在大量投資于5nm的制造，正在開發(fā)一條3nm的生產(chǎn)線，該生產(chǎn)線將于2023年開始生產(chǎn)，并打算開始開發(fā)2nm的光刻工藝。 目前，印度半導(dǎo)體工業(yè)參與了180nm節(jié)點(diǎn)技術(shù)的ISRO。 為了打印這些節(jié)點(diǎn)，Mohali的半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室(SCL)使用了四種不同類型的光刻膠，它們對(duì)深紫外光(DUV)很敏感。 由于沒有印度制造商開發(fā)這些DUV抵抗，SCL完全依賴外國(guó)供應(yīng)商。 IIT Mandi光刻膠團(tuán)隊(duì)正在開發(fā)這種DUV抗蝕劑。 位于艾哈邁達(dá)巴德的空間應(yīng)用中心(SAC)在研發(fā)層面對(duì)70納米技術(shù)做了一些工作。 “該國(guó)晶圓印刷的生產(chǎn)能力有限。 對(duì)我們來說，主要的挑戰(zhàn)是缺乏本土光刻膠，幾乎沒有專門的測(cè)試設(shè)施來進(jìn)行工業(yè)規(guī)模的生產(chǎn)，當(dāng)然也缺乏熟練的人力。 更多的測(cè)試設(shè)施需要大量投資。 “目前，我們?cè)赟CL的工廠生產(chǎn)線上得到了很少的插槽來測(cè)試我們的產(chǎn)品，因?yàn)橥粭l生產(chǎn)線涉及芯片生產(chǎn)。 需要一個(gè)專門的測(cè)試設(shè)施。